몇 년째 책을 붙잡고 씨름하지만 아직도 공부를 어려워하는 못난이 대학생입니다. 혼자서 아무리 고민하고 글을 찾아봐도 답이 안 나와서 PGR 전기전자 전공자 분들께 여쭤봅니다.

위키나 전공 서적을 보면 p-n junction이 다이오드로 동작하는 원리가
forward bias (p -> n 방향)로 전압을 걸어주면 depletion layer가 작아져서 정공/전자 교환이 원활해지니 전류가 흐르고
reverse bias (n -> p 방향)로 전압을 걸어주면 depletion layer가 넓어져서 정공/전자 교환이 안되므로 전류가 안 흐른다...고 되어있는데

제 머리 한 구석에서는

"depletion layer 경계면의 p-type 반도체는 정공에 전자가 들어차 있고 n-type 반도체는 잉여 전자를 빼앗긴 원자들이 모여 있잖아.
그런데 내가 반도체에 reverse bias를 걸어주면 (p 말단에 (-)극을 연결, n 말단에 (+)극을 연결) 전자는 p에서 n으로 이동시키려는 힘을 받을 텐데?
그러면 p-n 경계면에서 p의 정공을 채우고 있던 전자가 쏙 튀어나와서 n의 +이온에 붙은 뒤 다른 +이온을 타고 n 말단에 가서 (+)극으로 빠져나갈 수 있잖아?
게다가 p 말단에 모인 정공들한테 (-)극이 전자를 계속 공급해 주니까 전자가 마를 일도 없는걸.
그러면 어쨌든 전자가 이동하니까 전류가 흐르는 게 맞을 텐데? 그런데 왜 reverse bias로는 전류가 안 흐르지?"

하는 의문이 떠나지를 않습니다. 제가 무엇을 잘못 생각한 걸까요?