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24/03/06 17:23
와장창창...
그래도 이번 엑시노스 나름 향상되서 나오긴 했어요... 삼성 파운드리도 1~2년전의 최악까지는 아닌것 같고요.
24/03/06 17:25
잘나와서 다행이긴 한데..
무선사 다니는 친구 말로는 갤24도 마지막에 마지막까지 펌웨어빨로 성능 뽑아낸거라던데.. 갤25도 파운드리(특히)도 좀 잘해줫으면..
24/03/06 17:33
원래는 Vth를 일컫는 말이었는데 이제 나노는 마케팅 용어 수준인지라
그나저나 제가 듣기로 3나노 삼파 자공정 첫 수율 0프로나 단자리대라고 들었는데 (최초 3나노 연습다마 친 올해 나올 갤럭시 워치) ap용으로는(저기서 홍보하는 2나노) 수율을 좀 끌어올렸나보네요?
24/03/06 18:13
원래 x nm가 실제 물리적인 선폭의 길이가 아닙니다. 예전에는 그랬는데 어느 순간부터는 물리적으로 줄었다는 게 아니라 [게이트길이(선폭)를 이정도 줄였을 때 나오는 성능을 구현했어요]라는 개념이라 보시면 됩니다. 인텔 14나노 깎던 장인이 그 14나노가 아니라고 반론(?)하던 시절도 그런 거에서 나온거였죠 (이 마케팅 기법을 처음 써먹은게 TSMC, 최근 몇 년엔 삼성이 써왔죠.)
즉 삼성의 저런 발언은 다음 공정이 이론적으로 상상할 수 있는 2나노 수준에 준한다는 마케팅성 발언이라 보시면 될 겁니다. 실제 선폭 길이가 아니라 성능이 그정도 된다는 의미라서 저렇게 변동(?)이 가능한거죠.
24/03/06 20:18
어쩐지 몇년전에도 그래핀 반도체 같은 신소재없인 물리적인 간섭한계때문에 10나노가 한계라느니 어쩌느니 했었는데 계속 줄어들어서 뭔가 싶었네요 크크
24/03/06 18:19
핀펫 전까지는 실리콘과 접촉되어 있는 게이트 너비를 바로 몇 나노 반도체라고 일컬었는데(접촉 면적이 한 면이니 게이트 너비와 면적이 비례) 핀펫으로 가면서 3차원 구조가 되어 접촉면적과 게이트 너비가 비례하지 않게 되었습니다.
즉 2나노라고 게이트 너비가 2나노가 된건 아니고, 대신 설계 단계에서 성능을 시뮬레이션하여 이 정도 공정이면 예전 평면 구조에서 게이트가 2나노일때 이 정도 성능이 나옵니다!라는 걸 마케팅 용어처럼 쓰게 된것이죠
24/03/06 18:31
2세대 3나노를 2나노라고 정정했다고 까이는건데, 반정도는 억까라고 생각하는게 그 어느 회사도 3나노가 실제 3나노 선폭은 아닙니다. 다만 나머지 반은 삼성 파운드리에 대한 불신으로 남겨두겠습니다. 실제 2나노 급 성능이 나올지 모르겠어서.
24/03/06 19:14
대만 반도체 산업은 생각 이상으로 한국보다 탄탄하더라구요.
파운드리 업체 TSMC, 팹리스 업체 미디어텍/노바텍/리얼텍 등등 서로 역할분담해서 생태계가 잘 짜여져 있습니다. 패키징 분야도 대만이 거진 다 먹고 있구요.
24/03/06 19:45
요즘 가뜩이나 나라 전체가 힘들다고 하는데,
삼전이라도 잘됐으면 하는 바램입니다... 그게 내 인생과 직접적으로는 별 연관 없겠지만서도...
24/03/06 22:30
그래서 24,24플러스 엑시노스는
최종 평이 어떤가요? 호들갑이다, 좋다, 주작이다, 선동이다, 섹시노스 붐이 왔다 여러 의견이 있었는데 이젠 결론 나지 않았나요?
24/03/06 23:28
와이파이나 오프라인으로 배터리측정할때나오는 AP자체전성비는 전년도모델이랑 비슷한데 (좋다는소리)
모뎀전성비가 안좋은지 LTE나 5G사용시에는 조금 배터리가 빨리다는 이슈가 있고 워크래프트 럼블같은 게임 몇개에서 호환성이슈가 있는정도로 최고성능 이런거 안따지면 양호한편입니다
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